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imec展示最新High-NA EUV技术

imec展示最新High-NA EUV技术

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比利时微电子研究中心于国际光学工程学会举行的先进微影成形技术会议上,展示其High-NA微影技术的重大进展,包含显影与蚀刻制程开发、新兴光阻剂与涂底材料测试、以及量测与光罩技术优化。imec与台积电、英特尔等国际大厂有密切合作,业界预期先进制程在2025年之后将进入埃米时代,High-NA技术将是量产关键。

High-NA微影技术将是延续摩尔定律的关键,推动2奈米以下的电晶体微缩。imec致力于打造High-NA微影生态系统,持续筹备与极紫外光微影设备制造商艾司摩尔共同成立High-NA实验室。该实验室将会聚焦全球首台0.55 High-NA EUV微影设备的原型机开发。

imec执行长Luc Van den hove表示,imec与ASML合作开发High-NA技术,ASML现在正在发展首台0.55 High-NA EUV微影扫描设备EXE:5000系统的原型机。与现有的EUV系统相比,High-NA EUV微影设备预计将能在减少曝光显影次数的情况下,实现2奈米以下逻辑晶片的关键特征图案化。

为了建立首台High-NA EUV原型系统,imec持续提升当前0.33 NA EUV微影技术的投影解析度,借此预测光阻层涂布薄化后的成像表现,以实现微缩化线宽、导线间距与接点的精密图案转移。同时,imec携手材料供应商一同展示新兴光阻剂与涂底材料的测试结果,在High-NA制程中成功达到优异的成像品质。同时也提出新制程专用的显影与蚀刻解决方案,以减少微影图案的缺陷与随机损坏。

针对22奈米导线间距或线宽的微影应用,imec已经模拟了EUV光罩缺陷所带来的影响,包含多层光罩结构的侧壁波纹缺陷,以及光吸收层的线边缘粗糙现象。imec先进微影技术研究计画主持人Kurt Ronse表示,这些研究成果让业界了解High-NA EUV微影制程所需的光罩规格。

此外,透过与ASML和材料供应商合作,imec针对负责定义图案结构的光罩吸收层开发了新兴的材料与架构。

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